模拟电子技术-全套PPT课件.pptx

第一章：半导体元器件 半导体的特性第一节：半导体基础知识物质的导电性能决定于原子结构的最外层电子：导体一般为低价元素绝缘体一般为高价元素或高分子物质常用的半导体材料均为四价元素半导体之所以能被用来制造电子元器件，不在于其导电能力处于导体和绝缘体之间，而在于其导电能力在外界某种因素作用下会发生显著的变化：掺杂热敏效应光电效应 本征半导体中的共价键结构第一节：半导体基础知识没有杂质且晶体结构完整的半导体被称为本征半导体在晶体中，每两个原子都公用一对价电子，形成共价电子对，这种结构称为共价键结构 半导体中的两种载流子(一)第一节：半导体基础知识在热力学温度为0K且无外界其它因素激发时，价电子全部束缚在共价键内在温度升高，价电子获得的热能足够大时，便能挣脱原子束缚而成为自由电子(带负电)，并在原共价键处留下一个带正电的空位，即“空穴” 半导体中的两种载流子(二)第一节：半导体基础知识在没有外加电场时，自由电子和空穴在晶体中做无规律的运动在加有外加电场后，自由电子和空穴都在电场作用下做定向运动，对外部显现电流自由电子和空穴都是载运电流的粒子，统称为载流子本征半导体中自由电子和空穴成对产生，相应的物理现象称为激发；自由电子也会释放能量进入有空位的共价键，二者同时消失，相应的物理现象称为复合本征半导体中载流子浓度的决定因素 杂质半导体-N型半导体第一节：半导体基础知识在本征半导体中掺入少量的五价元素，使每一个五价元素取代一个四价元素在晶体中的位置，即可形成N型半导体此时的杂质元素很容易贡献出自由电子，而形成正离子，故称为“施主杂质”N型(电子型)半导体中自由电子居多数，故称为“多数载流子”(多子)；空穴被称为“少数载流子”(少子) 杂质半导体-P型半导体第一节：半导体基础知识在本征半导体中掺入少量的三价元素，即可形成P型半导体此时的杂质元素很容易贡献出空位。在该空位被自由电子或邻近原子的价电子填补后，杂质原子成为正离子，故称为“受主杂质”P型(空穴型)半导体中空穴居多数，故称为“多数载流子”(多子)；自由电子被称为“少数载流子”(少子) 半导体内的电流第一节：半导体基础知识半导体中除了自由电子运动形成电流以外，还有空穴运动形成电流。空穴运动实际上是价电子运动半导体中的载流子运动包括两种：由于电场直接作用而形成载流子移动的电流称为漂移电流由于载流子浓度差而形成载流子移动的电流称为漂移电流半导体中的电流是以上两种电流之和 PN结的形成第二节：PN结对同一块半导体，一端掺入受主杂质，成为P型半导体；另一端掺入施主杂质，成为N型半导体。这两种杂质半导体紧密地接触在一起，并在接触处保持晶格的连续性，这样就在接触面形成一个PN结 PN结的势垒(一)第二节：PN结两个区内的多子均扩散至对方区域内形成非平衡载流子，并因为复合而不断减少。扩散过程即产生扩散电流扩散后在原区域内形成空间电荷区，该区域由不能移动的正、负离子构成空间电荷区阻碍载流子的扩散(故也称为势垒区)，但会产生漂移电流 PN结的势垒(二)第二节：PN结扩散运动使势垒区加厚，当扩散电流等于漂移电流时，势垒宽度达到稳定，从而形成动平衡势垒区的载流子浓度远小于非势垒区，故被称为耗尽区，亦被称为高阻区势垒区形成后，两种电特性的半导体之间便产生了电位差。平衡状态下，势垒有一确定的高度，决定于半导体材料和温度 PN结外加直流(缓变)正向电压时的电流第二节：PN结外加电压的极性与势垒的极性相反两个区的多子均趋向势垒区，并与该区的部分正、负离子中和，从而使得势垒降低势垒降低后形成了较大的扩散电流此时的外加电压称为正向电压，正向电压下的电流称为正向电流，正向电流随正向电压的增大而增大 PN结外加直流(缓变)反向电压时的电流第二节：PN结外加电压的极性与势垒的极性相同在外加电压作用下，势垒区加厚，势垒增高势垒增高后，扩散电流减小(到0)；漂移电流基本不随外加电流而变此时的外加电压称为反向电压，反向电压下的电流称为反向电流，反向电流不随反向电压的大小而变，故称为反向饱和电流 PN结的伏安特性第二节：PN结PN结的伏安特性指通过PN结的电流与加在其上的电压之间的关系：：热电压室温下， PN结的温度特性第二节：PN结温度升高时：反向饱和电流增大温度每升高10℃，反向饱和电流加倍势垒下降温度每升高1℃，势垒降低约2mVPN结单向导电性总结：无外加电压时，结内扩散电流与飘移电流形成动平衡，总电流为0正偏时势垒降低，扩散电流及总电流随偏压升高而增大反偏时势垒增高，扩散电流随偏压升高而减小并趋于0，总电流趋于不变PN结具有满足指数规律的伏安特性 PN结的温度特性第三节：二极管将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线，即形成PN结正极负极根据材料和工艺的不同，相应制成的二极管具有不同的特性和适用范围 二极管的特性：综述第三节：二极