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本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，该LED芯片的制备方法包括提供一衬底，并在所述衬底上依次生长缓冲层、隔离层；按照预设刻蚀图案对所述隔离层进行刻蚀，直至所述隔离层的刻蚀部位露出所述缓冲层，以在所述隔离层上刻蚀出若干间隔设置的凹槽；在所述凹槽中沉积过渡层，并在所述过渡层上生长外延层；待所述外延层生长完成后，通过刻蚀液将所述隔离层全部刻蚀掉，本发明能够解决现有技术中刻蚀分割外延层制作微型LED芯片，易造成外延层的侧壁损伤，导致发光亮度降低的技术问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116705922 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310760740.4
(22)申请日 2023.06.26
(71)申请人 江西兆驰半导体有限公司
地址 3
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