超低残压的双向ESD保护器件.pdfVIP

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  • 2023-09-07 发布于四川
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超低残压的双向ESD保护器件,包括P‑区(101),位于P‑区(101)上方的P+层(102)和N阱(103);左侧N阱(103)顶部设第一P+接触区(104)以及第一N+接触区(105),左侧N阱(103)上方为阴极金属电极(109);右侧N阱(103)顶部设第二P+接触区(106)以及第二N+接触区(107),右侧N阱(103)上方为阳极金属电极(110);其中阴极金属电极(109)、阳极金属电极(110)与下方P+层(102)、N阱(103)的硅表面的非接触区域由绝缘介质层(108)隔离;

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210349836 U (45)授权公告日 2020.04.17 (21)申请号 20192

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