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微电子器件期末试题 一、填空题  1.PN结中P区和N区的掺杂浓度分别为NA和ND,本征载流子浓度为ni，  kTNANDln则PN结内建电势Vbi的表达式Vbi?。 2qni2.对于单边突变结P?N结，耗尽区主要分布在N区，该区浓度越低，则耗尽区宽度值越大，内建电场的最大值越小；随着正向偏压的增加，耗尽区宽度值降低，耗尽区内的电场降低，集中电流提高；为了提高  P?N结二极管的雪崩击穿电压，应降低N区的浓度，这将提高反向饱  和电流IS。  解析：?|E|xn?smaxqNDxp?xd??s|Emax|qNA?s|Emax|?s|Emax|qNDxn?qNA??s?111?)|Emax|?s|Emax|qNDNAqN0(?s11Vbi???Edx?(xn?xp)|Emax|?|Emax|2?xp22qN0|Emax|?(2qN0Vbi)?[122kTNANDln(?sNAND)12ni]2?s(NA?ND)  对于单边突变结，可通过适当降低轻掺杂一侧的掺杂浓度，使势垒区拉宽来提高雪崩击穿电压。反向饱和电流IS?(qDpLpDpqDnDn2pn?np)?qni(?)LnLpNDLnNA3.在设计和制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当增加放射区和基区的掺杂浓度的比值解析：???*??[1?(NE，降低基区宽度。 NB?1WB2DWNR)](1?EBB)?(1?b)(1?口E) 2LBDBWENE?BR口BqV，此2kT4.对于硅PN结，当V0.45V时，电流密度J满意关系式  lnJ?qV，此时以正向集中电流为主；在室温下，反向电流以势垒区kT产生电流为主，该电流与ni存在?ni关系。  解析：当温度较低时，总的反射电流中以势垒区产生电流为主；当温度较高时，则以反射集中电流为主。对于硅PN结，在室温下以势垒区产生电流为主，只有在很高的温度下才以反向集中电流为主。反向集中电流含ni2因子，势垒区产生电流则含?ni因子。  5.势垒区电容Cs反映势垒区边缘的电离杂质电荷随外加电压的变化；集中电容CD反映的是中性区的非平衡载流子电荷随外加电压的变化；变容二极管是使用的势垒区电容。  6.PN结电击穿有齐纳击穿和雪崩击穿两种机制，其中雪崩击穿机制打算的击穿电压具有正温度系数。  7.在小电流的状况，双极结型晶体管的?会降低，这是此时放射极电流中复合的比例增大；大电流时?会降低，这是由于大注入的基区扩展效应。  8.PN结反射饱和电流随结温上升而上升。MOSFET导通状态下，饱和输出电流随半导体温度增加上升而降低，这主要是由于迁移率下降造成的。  解析：对于同一种半导体材料和一样的掺杂浓度，温度越高，则ni越大在，反向饱和电流就越大在，所以J具有正温度系数。  9.由于栅氧化层中通常带正电，这使得N沟道MOSFET的阈值电压肯定值变大，可动钠离子从金属/绝缘层界面移向绝缘层/半导体界面，阈值电压肯定值变小。  10.短沟道MOSFET漏极电流饱和是由于载流子速度饱和，随着沟道长度缩短，阈值电压降低。长沟道MOSFET漏极电流饱和是由于沟道夹断。  11.为了提高双极结型晶体管的基区输运系数，应降低基区宽度，降低基区掺杂浓度；当基区宽度减半时，基区渡越时间变为原来的，这将降低基区穿通电压。  12.双极结型晶体管工作在放大区，放射结正偏，集电结反偏，此时用于模拟电路；工作在截止区，放射结反偏，集电结反偏。 13.PN结的少子存储效应产生PN结的反向恢复时间，存储电荷消逝的两个途径是：反向电流的抽取和少子的复合。  14.匀称基区晶体管，少子在基区中主要作集中运动，又称为匀称基区晶体管。缓变基区晶体管，少子在基区主要作漂移运动，又称为漂移晶体管。由于内建电场的存在使漂移晶体管少子的基区渡越时间低于集中晶体管。  15.对PN结外加反向电压时，势垒区宽度增大，势垒区内的电场增加。 16.PN结在较小偏压下的反向电流由空穴集中电流、电子集中电流和势垒区产生电流三局部所组成。  1417.PN结的击穿有三种机理：它们分别是雪崩倍增、隧道效应和热击穿。  18.在同一个N型衬底上形成两个PN结，结深一样，但P区掺杂浓度不一样，问：此时，高P区浓度PN结的击穿电压应小于低P区浓度PN结的击穿电压。  19.对P沟道MOSFET，栅氧化层中的固定电荷Qox将降低阈值电压。 20.在反偏的P?N结中，电