- 1、本文档共18页,其中可免费阅读17页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种级联氮化镓功率电路模块封装结构,包括:形成封装体的两个双面覆铜陶瓷基板、至少一个第一级联氮化镓功率电路和至少一个第二级联氮化镓功率电路;第一级联氮化镓功率电路与两个双面覆铜陶瓷基板的焊盘和铜柱采用银烧结连接;第二级联氮化镓功率电路与两个双面覆铜陶瓷基板的焊盘和铜柱采用银烧结连接。本发明的氮化镓芯片、MOSFET芯片通过顶部、底部的双面覆铜陶瓷基板进行散热,能够提升模块的性能与寿命。本发明采用了通过焊盘、铜柱将MOSFET芯片与氮化镓芯片互连,减小了因为铝键合线互连而带来的一系列寄
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116705776 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310721167.6 H01L 23/373 (2006.01)
文档评论(0)