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2023-09-07 发布于北京
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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种掩膜结构及其形成方法，该形成方法包括：形成依次层叠分布的待图案化膜层、第一掩膜层、遮光层以及第一光阻层；在第一光阻层内形成第一显影区；在第一显影区对遮光层进行蚀刻，以形成露出第一掩膜层的第一掩膜图案；对第一掩膜图案内暴露出的第一掩膜层进行蚀刻，以形成多个间隔分布的第二掩膜图案；以第二掩膜图案为掩膜对待图案化膜层进行蚀刻，以形成目标掩膜图案，第一掩膜层与待图案化膜层的蚀刻选择比大于遮光层与待图案化膜层的蚀刻选择比。本公开的形成方法可提高掩膜图案的分辨率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116699940 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202310730122.5 (22)申请日 2023.06.16 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 23

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