半导体封装结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-09-07 发布于四川
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半导体封装结构及其制备方法.pdf

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本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，在重新布线层的两侧制备电连接的圆柱形电容及立体电感，可实现封装结构的电源完整性，缩短芯片与被动元件之间的传输距离；可在较小的封装结构的尺寸下制备圆柱形电容及立体电感，且可提升电容量及电感量；通过磁性金属层的制备，可构建立体磁芯电感，以进一步的提升电感量；通过在封装结构的侧壁上键合大容量的被动元件可进一步的扩大封装结构的电容量和/或电感量；通过在被动元件上设置散热件和/或在芯片与第三重新布线层之间形成虚拟金属凸块，可提高封装结构的散热性能；通过在立体电感之

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116705627 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202310987669.3 (22)申请日 2023.08.08 (71)申请人盛合晶微半导体（