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本发明涉及半导体技术领域，具体提供一种光子集成芯片及其制备方法，旨在解决光子集成芯片集成度较低的问题。为此目的，本发明的光子集成芯片包括：基底以及设置在基底上的激光器和硅波导结构，其中，激光器包括半导体谐振腔，该半导体谐振腔与硅波导结构面内耦合，半导体谐振腔包括三五族半导体发光材料区。通过将半导体谐振腔与硅波导结构面内耦合，有利于实现大规模单片集成且提高集成密度，解决了现有技术中三五族半导体激光器与硅光芯片集成困难、集成度低的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115657205 A
(43)申请公布日 2023.01.31
(21)申请号 202211593670.X
(22)申请日 2022.12.13
(71)申请人 香港中文大学（深圳）
地址 518
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