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本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件的制造方法包括：在衬底的第一表面上形成外延层；在外延层中形成第一子沟槽和第二子沟槽，第一子沟槽和第二子沟槽从外延层的上表面延伸至其内部，第一子沟槽与第二子沟槽之间存在第一厚度的隔断；在第一子沟槽和第二子沟槽的侧壁和底部形成介质层，介质层的厚度大于第一厚度的二分之一；去除隔断，连通第一子沟槽和第二子沟槽以形成沟槽，暴露沟槽底部的外延层，形成凸起结构，并保留沟槽侧壁上覆盖的介质层；如此，即可得到侧壁覆盖有介质层而底部具有开口的沟槽，该沟槽深宽比与传
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116705619 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310635610.8 H01L 23/538 (2006.01)
(22)申请日 2023.05
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