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本发明提供一种功率模块的芯片结温估算方法、装置、设备及介质，该方法包括获取功率模块的物理参数、参考点温度以及功率模块中每一芯片的损耗功率，基于物理参数建立仿真模型，对仿真模型中的仿真功率模块施加损耗功率，得到仿真结温数据，基于仿真结温数据、损耗功率和参考点温度得到热阻抗矩阵，建立用于估算芯片结温的热网络模型，将热网络模型的输出结果与测试的实际结温结果进行对比，以对热阻抗矩阵进行修正，并对功率模块进行寿命预测，得到寿命与热阻抗矩阵之间的老化关系，以根据老化关系对不同生命周期的功率模块的芯片进行结温
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116702676 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310638461.0 G06F 119/08 (2020.01)
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