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本发明提供一种复合多量子阱有源层、高光效LED外延片及其制备方法，涉及半导体技术领域，复合多量子阱有源层包括复合有源区以及设于复合有源区上的末阱有源区，复合有源区包括多个有源区，有源区包括周期性依次层叠设置的量子阱层、帽层以及量子垒层；末阱有源区包括依次设置的末量子阱层、末帽层以及末量子垒层，末量子阱层设于复合有源区的上方。本申请通过设置复合有源区以及末阱有源区形成复合多量子阱有源层，增加电子和空穴在有源区的复合浓度和效率，有效提升了发光二极管的光效。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116705933 A
(43)申请公布日 2023.09.05
(21)申请号 202310762010.8
(22)申请日 2023.06.26
(71)申请人 江西兆驰半导体有限公司
地址 3
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