第三章光发射机.pptVIP

第四章 光发射机; 光纤通信系统的基本组成--1;电/光;光纤通信系统的基本组成--3;光源是光发射机的关键器件，其功能是把电信号转换为光信号。目前光纤通信广泛使用的光源主要有半导体激光二极管或称激光器(LD)和发光二极管或称发光管(LED)，有些场合也使用固体激光器，例如掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)激光器。;电信号转化为光信号的这部分电路被称为光发射机。;光发射机的功能;现在成熟利用的光的参量是强度，将输入的数字电信号转化为用光的强度表征信息的数字光信号。所谓““IM-DD”（强度调制-直接检测）。 ;通信系统对光源的要求;1.与光纤匹配：;2.电接口：;半导体激光器LD（laser diode）;半导体激光器LD（laser diode）一、基本原理;受激辐射和粒子数反转分布：　　 有源器件的物理基础是光和物质相互作用的效应。在物质的原子中，存在许多能级，最低能级E1称为基态，能量比基态大的能级Ei(i=2, 3, 4 …)称为激发态。电子在低能级E1的基态和高能级E2的激发态之间的跃迁有三种基本方式(见下图)：　　(1) 在正常状态下，电子处于低能级E1，在入射光作用下，它会吸收光子的能量跃迁到高能级E2上，这种跃迁称为受激吸收。电子跃迁后，在低能级留下相同数目的空穴，见图(a)。; (2) 在高能级E2的电子是不稳定的，即使没有外界的作用，也会自动地跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量转换为光子辐射出去，这种跃迁称为自发辐射，见图 (b)。 (3) 在高能级E2的电子，受到入射光的作用，被迫跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量产生光辐射，这种跃迁称为受激辐射，见图(c)。; 能级和电子跃迁 (a) 受激吸收；(b) 自发辐射；(c) 受激辐射; 受激辐射是受激吸收的逆过程。电子在E1和E2两个能级之间跃迁，吸收的光子能量或辐射的光子能量都要满足波尔条件，即  E2－E1=hf12　　　　　　　 式中，h=6.628×10－34 J·s，为普朗克常数，f12为吸收或辐射的光子频率。　　受激辐射和自发辐射产生的光的特点很不相同。受激辐射光的频率、 相位、 偏振态和传播方向与入射光相同，这种光称为相干光。自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的，其频率和方向分布在一定范围内，相位和偏振态是混乱的，这种光称为非相干光。;产生受激辐射和产生受激吸收的物质是不同的。设在单位物质中，处于低能级E1和处于高能级E2(E2E1)的原子数分别为N1和N2。当系统处于热平衡状态时，存在下面的分布 式中，k=1.381×10－23 J/K，为波尔兹曼常数，T为热力学温度。由于(E2－E1)0，T0，所以在这种状态下，总是N1N2。这是因为电子总是首先占据低能量的轨道。受激吸收和受激辐射的速率分别比例于N1和N2，且比例系数(吸收和辐射的概率)相等。如果N1N2，即受激吸收大于受激辐射。当光通过这种物质时，光强按指数衰减，这种物质称为吸收物质。;如果N2N1，即受激辐射大于受激吸收，当光通过这种物质时，会产生放大作用，这种物质称为激活物质。N2N1的分布和正常状态(N1N2)的分布相反，所以称为粒子(电子)数反转分布。问题是如何得到粒子数反转分布的状态呢? 这个问题将在下面加以叙述。 PN结的能带和电子分布　　半导体是由大量原子周期性有序排列构成的共价晶体。在这种晶体中，由于邻近原子的作用，电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带，如下图所示。能量低的能带称为价带，能量高的能带称为导带，导带底的能量Ec和价带顶的能量Ev之间的能量差Ec－Ev=Eg称为禁带宽度或带隙。电子不可能占据禁带。; 半导体的能带和电子分布 (a) 本征半导体；(b) N型半导体；(c) P型半导体 ;上图示出了不同半导体的能带和电子分布图。根据量子统计理论，在热平衡状态下，能量为E 的能级被电子占据的概率为费米分布 式中，k为波尔兹曼常数，T为热力学温度。当T→0时，P(E)→0，这时导带上几乎没有电子，价带上填满电子。Ef 称为费米能级，用来描述半导体中各能级被电子占据的状态。在费米能级，被电子占据和空穴占据的概率相同。;一般状态下，本征半导体的电子和空穴是成对出现的，用Ef 位于禁带中央来表示，见上图(a)。在本征半导体中掺入施主杂质，称为N型半导体。在N型半导体中，Ef增大，导带的电子增多，价带的空穴相对减少，见上图(b)。在本征半导体中，掺入受主杂质，称为P型半导体。在P型半导体中，Ef 减小，导带的电子减少，价带的空穴相对增多，见图(c)。;