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一种多层三维存储器阵列包含竖直堆叠的绝缘层和导电层的多个交替堆叠。包含存储器膜和半导体通道的存储器堆叠结构延伸穿过所述交替堆叠。所述交替堆叠形成为绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠，且随后通过用导电层替换所述牺牲材料层来修改。用所述导电层替换所述牺牲材料层期间的结构支撑由所述存储器堆叠结构和电介质支撑柱结构提供。所述电介质支撑柱结构可仅针对包含第一绝缘层和第一间隔物材料层的第一层交替堆叠的第一层结构形成，或可在多个层上方竖直地延伸。可在所述交替堆叠中形成阶梯式表面之前或之后形成所述电介质支撑柱结构。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111684596 A
(43)申请公布日
2020.09.18
(21)申请号 20198
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