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本实用新型公开了一种吸收、倍增层分离结构的Ⅲ族氮化物半导体雪崩光电探测器，其包括衬底及生长于衬底之上的外延层，其中，外延层按自下而上的生长顺序依次为AlN缓冲层，非故意掺杂AlwGa1‑wN过渡层，非故意掺杂AlkGa1‑kN组分渐变层，重掺杂n型AlxGa1‑xN欧姆接触层，非故意掺杂AlyGa1‑yN吸收层，电荷层，非故意掺杂AlyGa1‑yN倍增层以及p型掺杂AlyGa1‑yN层；其中，所述的电荷层至少包括两层n型AlzGa1‑zN层，且电荷层中掺杂浓度依次呈高—低掺杂分布。所述探测器可有
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210349846 U
(45)授权公告日
2020.04.17
(21)申请号 2
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