(100)择优取向钙锶铋钛铁电薄膜的制备及其生长模式的研究的中期报告.docxVIP

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(100)择优取向钙锶铋钛铁电薄膜的制备及其生长模式的研究的中期报告 本研究旨在探究择优取向钙锶铋钛铁电薄膜的制备方法及其生长模式。本报告为研究的中期报告,包含实验准备、实验方法、初步结果分析三个部分。 一、实验准备 1. 器材:Sputtering系统、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等。 2. 试剂:钙锶铋钛陶瓷目标、氧气、氩气等。 二、实验方法 1. 制备钙锶铋钛(BST)陶瓷目标:将BST粉末和适量压积剂混合,通过模具成型,然后在氧化锆坩埚中进行烧结。 2. 制备BST薄膜:使用Sputtering系统,在氩气或氧气氛围下将BST陶瓷目标的离子轰击到基板表面上。 3. 生长模式研究:通过对不同实验参数的调控,观察其对BST薄膜生长模式的影响。包括调整气压、温度、陶瓷目标形状等参数。 三、初步结果分析 1. 通过SEM观测,发现在不同实验参数下,BST薄膜的表面形貌存在明显差异。在一些实验条件下,薄膜表面呈现出“颗粒状”或“纹路状”结构,而在其他条件下则呈现出比较平整的表面。 2. XRD分析结果显示,在不同实验条件下,BST薄膜的择优取向性能也存在明显差异。择优取向度指数随实验参数的调控而有所变化。 综合实验结果,说明实验参数对于BST薄膜生长模式和择优取向性能均存在着较大的影响。后续实验将进一步探究不同实验参数下BST薄膜的热力学和电学性质,并试图寻求最佳的生长条件。

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