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- 2023-09-09 发布于四川
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本发明公开了一种NPN型数字晶体管芯片结构的制造方法，其包括如下步骤：选取一N型衬底，形成N型外延层，生长一层二氧化硅氧化层；二氧化硅氧化层上面再次匀上一定厚度的光刻胶，通过光刻掩膜版曝光后开出发射区窗口，同时带胶进行发射区磷注入工艺；形成P型基区；形成在上表面的二氧化硅氧化层；通过光刻掩膜版曝光后开出发射区窗口，同时带胶进行发射区磷注入工艺。通过加入发射区带胶磷注入的方式，以光刻胶作为掩蔽层，发射区高浓度磷离子注入时候绝大部分磷离子都打入光刻胶内，能有效阻止非发射区部分磷离子进入氧化层，避免表
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116721919 A
(43)申请公布日 2023.09.08
(21)申请号 202310802767.5
(22)申请日 2023.07.03
(71)申请人 江苏新顺微电子股份有限公司
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