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本发明提供一种5纳米芯片制造的直接蚀刻方法，涉及芯片设计及制造。本发明的方案是：按5nm蚀刻线宽设计芯片版图，设计蚀刻掩模版后，用激光直写光刻机刻出蚀刻掩模版；晶圆准备好后将蚀刻掩模版紧靠晶圆上表面，用等离子体进行干法蚀刻；蚀刻结束后移去蚀刻掩模版，清洁晶圆，进行后续常规的芯片制造步骤(离子注入、形成完整的晶圆结构、芯片封测)。蚀刻掩模版包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)涂层和金属钛板，金属钛板做成朝上的盘子形状，在盘状边沿均匀设置安装孔，金属钛板中间的圆盘部分两面涂覆聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116721916 A
(43)申请公布日 2023.09.08
(21)申请号 202310844354.3
(22)申请日 2023.07.11
(71)申请人 上海创消新技术发展有限公司
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