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蓝宝石基本知识1、 蓝宝石介绍蓝宝石的组成为 蓝宝石基本知识 1、 蓝宝石介绍 蓝宝石的组成为氧化铝(Al2O3)，是由三个氧原子和两个铝原子 以共价键型式结合而成,其晶体结构为六方晶格结构.它常被应 用的切面有A-Plane,C-Plane 及R-Plane.由于蓝宝石的光学穿 透带很宽,从近紫外光(190nm)到中红外线都具有很好的透光性. 因此被大量用在光学元件、红外装置、高强度镭射镜片材料及 光罩材料上，它具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透 光性、熔点高〔2045℃〕等特点，它是一种相当难加工的材料， 因此常被用来作为光电元件的材料。目前超高亮度白/蓝光 LE D 的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质，而氮化镓磊晶品 质则与所使用的蓝宝石基板外表加工品质息息相关，蓝宝石(单 晶Al2O3 )C面与Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族沉积薄膜之间的晶格常数失配 率小，同时符合 GaN 磊晶制程中耐高温的要求，使得蓝宝石晶 片成为制作白/蓝/绿光LED 的关键材料. 2、蓝宝石晶体的生长方法常用的有两种: 1:柴氏拉晶法(Czochralski method),简称CZ 法.先 将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再利用一单晶晶种接触到 熔汤外表，在晶种与熔汤的固液界面上因温度差而形成过冷。 于是熔汤开始在晶种外表凝固并生长和晶种相同晶体结构的单 晶。晶种同时以极缓慢的速度往上拉升，并伴随以一定的转速 晶。晶种同时以极缓慢的速度往上拉升，并伴随以一定的转速 旋转，随着晶种的向上拉升，熔汤逐渐凝固于晶 旋转，随着晶种的向上拉升，熔汤逐渐凝固于晶种的液固界面 上，进而形成一轴对称的单晶晶锭. 2:凯氏长晶法(Kyropoulos method),简称KY 法,大陆 称之为泡生法.其原理与柴氏拉晶法(Czochralskimethod)类似， 先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再以单晶之晶种(SeedC rystal，又称籽晶棒)接触到熔汤外表，在晶种与熔汤的固液界 面上开始生长和晶种相同晶体结构的单晶，晶种以极缓慢的速 度往上拉升，但在晶种往上拉晶一段时间以形成晶颈，待熔汤 与晶种界面的凝固速率稳定后，晶种便不再拉升，也没有作旋 转，仅以控制冷却速率方式来使单晶从上方逐渐往下凝固，最 后凝固成一整个单晶晶碇. 蓝宝石基片的原材料是晶棒,晶棒由蓝宝石晶体加工而成 广阔外延片厂家使用的蓝宝石基片分为三种: 1:C-Plane 蓝宝石基板 这是广阔厂家普遍使用的供GaN 生长的蓝宝石基板面.这主要 是因为蓝宝石晶体沿C 轴生长的工艺成熟、成本相对较低、物 化性能稳定 化性能稳定,在C 面进行磊晶的技术成熟稳定. 2:R-Plane 或M-Plane 蓝宝石基板主要用来生长非极性/半 2:R-Plane 或M-Plane 蓝宝石基板 主要用来生长非极性/半极性面GaN 外延薄膜,以提高发光 效率.通常在蓝宝石基板上制备的GaN 外延膜是沿c 轴生长的， 而c 轴是GaN 的极性轴，导致GaN 基器件有源层量子阱中出 现很强的内建电场，发光效率会因此降低，发展非极性面GaN 外延，克服这一物理现象，使发光效率提高。 3:图案化蓝宝石基板(Pattern Sapphire Substrate 简称PSS) 以成长(Growth)或蚀刻(Etching)的方式,在蓝宝石基板上设 计制作出纳米级特定规则的微结构图案藉以控制LED 之输出光 形式，并可同时减少生长在蓝宝石基板上GaN之间的差排缺陷， 改善磊晶质量，并提升 LED 内部量子效率、增加光萃取效率。 C-Plane 蓝宝石基板是普遍使用的蓝宝石基板.1993 年日本的赤崎勇教授与当时在日亚化学的中村修二博士等人， 突破了InGaN 与蓝宝石基板晶格不匹配〔缓冲层〕、p 型材料 活化等等问题后，终于在 1993 年底日亚化学得以首先开发出 蓝光LED.以后的几年里日亚化学以蓝宝石为基板,使用InGaN 材料,通过MOCVD 技术并不断加以改良蓝宝石基板与磊晶技 术,提高蓝光的发光效率,同时 1997 年开发出紫外LED，1999 年蓝紫色LED 样品开始出货，2001 年开始提供白光LED。从而 奠定了日亚化学在LED 领域的先头地位. 台湾紧紧跟随日本的 台湾紧紧跟随日本的LED技术,台湾LED的发展先是从日 本购买外延片加工,进而买来MOCVD 机台和蓝宝石 本购买外延片加工,进而买来MOCVD 机台和蓝宝石基板来进行 磊晶,之后台湾本土厂商又对蓝宝石晶体的生长和加工技术进 行研究生产,通过自主研发,取得LED 专利授权等方式从而实现 蓝宝石晶体,基板,外延片的生产,外延片的加工等等自主的生 产技术能力,一步一步奠定了台湾在LED 上游业务中的重要地 位. 目前大部分的蓝光/绿光/白光LED