原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
半导体材料制备;生长技术;晶体生长问题;11.1 体单晶生长;结晶过程驱动力;杂质分凝;组分过冷;10.2 体单晶生长方法;10.2.1 直拉法;PowerPoint 演示文稿;10.2.2 直拉生长技术的改;10.2.3 悬浮区熔法;10.2.4 垂直梯度凝固法和;例子：硅的单晶生长 第一步：石;第二步：熔 炼 级 硅（99％;粗硅提纯到电子级多晶硅;精馏;硅的单晶生长 第三步：电子级多;最后一步：研磨，切割，抛光;10.3 片状晶生长;PowerPoint 演示文稿;10.4 晶片切割;10.5 半导体外延生长技术;外延生长的优点;PowerPoint 演示文稿;外延生长的技术;汽相外延生长的优点;1）真空热蒸发沉积;PowerPoint 演示文稿;饱和蒸气压;2）化学气相沉积;化学气相沉积的优点;PowerPoint 演示文稿;例子：硅的气相外延生长;硅源;PowerPoint 演示文稿;氢还原SiCl4硅外延;卧式;硅外延生长步骤;（1）硅片清洗;表面杂质的类型;清洗步骤;（2）装衬底片;（3）通氢排气;（4）升温;（5）高温处理;（6）气相抛光;（7）通氢排气;（8）外延生长;（9）通氢排气;（10）降温;（11）开炉取片;4）金属有机物化学气相沉积;MOCVD的特点;PowerPoint 演示文稿;MOCVD系统;PowerPoint 演示文稿;MOCVD Growth Sy
文档评论（0）