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- 2023-09-10 发布于四川
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本公开涉及基板处理方法和基板处理装置，使晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性提高。实施方式所涉及的基板处理方法包括低温溶解工序和蚀刻工序。在低温溶解工序中，使氧溶解于冷却至比室温低的规定温度的碱性水溶液中。在蚀刻工序中，向基板供给溶解了氧的碱性水溶液来对基板进行蚀刻。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109216180 A
(43)申请公布日
2019.01.15
(21)申请号 20181
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