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半导体存储器件包括：存储单元阵列；储存电路，其适用于储存模式数据；数据输入电路，其适用于从外部设备接收正常写入数据；比较电路，其适用于基于预读取控制信号将图案数据与正常写入数据进行比较，并生成与比较结果相对应的比较信号；以及写入电路，其适用于基于预写入控制信号将图案数据写入到存储单元阵列，以及基于正常写入控制信号和比较信号将正常写入数据中的一些写入到存储单元阵列。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111540388 A
(43)申请公布日
2020.08.14
(21)申请号 20191
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