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- 2023-09-10 发布于四川
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本发明提供一种具有改进型P柱的超结肖特基二极管及制备方法，该超结肖特基二极管包括：P型掺杂层；所述P型掺杂层位于P柱和N‑漂移层之间；所述P型掺杂层与所述N‑漂移层的接触面与超结肖特基二极管的中轴线的夹角大小为5‑15°。本发明通过在传统的超结肖特基二极管中的P柱的不平滑的边缘掺杂一层P型材料，使P柱的边缘变得平滑，P型掺杂层的存在能够使电荷平衡得到优化的同时还具有很高的耐压能力和较低的导通电阻，使超结肖特基二极管的性能大大增强。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116722033 A
(43)申请公布日 2023.09.08
(21)申请号 202311008130.5
(22)申请日 2023.08.11
(71)申请人 深圳天狼芯半导体有限公司
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