1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

垂直结构的深紫外LED芯片、制造方法与外延结构.pdfVIP

  • 15
  • 0
  • 约3.36万字
  • 约 32页
  • 2023-09-10 发布于四川
  • 举报

垂直结构的深紫外LED芯片、制造方法与外延结构.pdf

    本申请公开了一种垂直结构的深紫外LED芯片、制造方法与外延结构，该制造方法包括：在蓝宝石衬底上形成外延结构，外延结构具有第一表面与第二表面，第二表面与蓝宝石衬底相连；将外延结构分隔为阵列排布的多个外延单元，部分蓝宝石衬底在相邻的外延单元之间暴露；在相邻的外延单元之间暴露的蓝宝石衬底上形成粘附层；将第二衬底键合固定在外延结构的第一表面上方；激光剥离蓝宝石衬底；以及去除粘附层。该制造方法通过将外延结构分隔为阵列排布的多个外延单元，从而改善了由于高能量密度激光剥离瞬间产生的强烈冲击对外延结构造成严重损

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113611779 A (43)申请公布日 2021.11.05 (21)申请号 202110717833.X H01L 33/14 (2010.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >