三维半导体存储器装置.pdfVIP

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  • 2023-09-10 发布于四川
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提供了一种三维半导体存储器装置及其制造方法。该装置可以包括:衬底,包括单元阵列区域和连接区域;电极结构,包括垂直地堆叠在衬底上的电极;多个第一垂直结构,在单元阵列区域上穿过电极结构;和多个第二垂直结构,在连接区域上穿过电极结构。第一垂直结构和第二垂直结构中的每个可以包括连接到衬底的下半导体图案和连接到下半导体图案的上半导体图案。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109300899 A (43)申请公布日 2019.02.01 (21)申请号 20181

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