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一种基于散热设计的集成封装射频前端组件.pdfVIP

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  • 2023-09-11 发布于四川
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一种基于散热设计的集成封装射频前端组件.pdf

    本实用新型涉及一种基于散热设计的集成封装射频前端组件，其结构包括：金属框架，低噪声放大器，幅度相位控制芯片，功率放大器，限幅器，键合金线以及封盖，其中主体为金属框架，幅度相位控制芯片安装在金属框架正面，通过键合金线与金属框架连接；功率放大器安装在金属框架正面，通过键合金线与金属框架连接；限幅器安装在金属框架正面，通过键合金线与金属框架连接；低噪声放大器安装在幅度相位控制芯片正面，通过键合金线与金属框架连接。采用此封装结构在降低射频前端组件体积的同时大大提高了封装散热能力，有助于减小整体系统体积并

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210380839 U (45)授权公告日 2020.04.21 (21)申请号 20192

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