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一种片上波导损耗测量装置.pdfVIP

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  • 2023-09-11 发布于四川
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一种片上波导损耗测量装置.pdf

    本申请提供一种片上波导损耗测量装置。该片上波导损耗测量装置包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；形成于所述顶层硅中的沿直线方向延伸的直线型波导，所述直线型波导的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；形成于所述顶层硅中的环形谐振腔，所述环形谐振腔与所述直线型波导之间的最小距离为第一距离；位于所述直线型波导的靠近所述光耦合器一侧的偏振调节元件，所述偏振调节元件调节所述直线型波导中的光的偏振态；光电探测器，其形成于所述顶层硅上，探测所述直线型波导的光输出端所输出的光并生成

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210375634 U (45)授权公告日 2020.04.21 (21)申请号 20192

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