1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种DRAM存储芯片三维集成封装结构.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约9.38千字
  • 约 11页
  • 2023-09-11 发布于四川
  • 举报

一种DRAM存储芯片三维集成封装结构.pdf

    本实用新型公开一种DRAM存储芯片三维集成封装结构，属于集成电路封装领域。所述DRAM存储芯片三维集成封装结构包括依次键合的顶层、若干个中间层和底层；其中，底层包括塑封的TSV转接芯片和存储芯片，底层正面形成有n层重布线和凸点，背面制作有粘结层；中间层包括塑封的TSV转接芯片和存储芯片，中间层正面形成有n层重布线和凸点，与底层背面键合；顶层包括塑封的存储芯片，顶层正面形成有n层重布线和凸点，与中间层背面键合。本实用新型通过TSV转接芯片完成每层间的垂直互连，用底填料填充凸点缝隙，增强封装结构强度

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210379016 U (45)授权公告日 2020.04.21 (21)申请号 20192

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >