Graphene和LPCMO薄膜的外延生长及其STM研究的中期报告.docxVIP

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  • 2023-09-13 发布于上海
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Graphene和LPCMO薄膜的外延生长及其STM研究的中期报告.docx

Graphene和LPCMO薄膜的外延生长及其STM研究的中期报告 这篇中期报告将介绍关于Graphene(石墨烯)和LPCMO(La0.67Ca0.33MnO3)薄膜的外延生长及其STM(扫描隧道显微镜)研究的进展情况。 Graphene是一种单层碳原子组成的二维材料,具有优异的电学、光学和力学性质,因此在电子器件、能源存储和传感器等领域被广泛应用。而LPCMO则是一种具有巨磁电阻效应的铁磁半导体材料,具有在低温下可控的磁电阻率,因此在自旋电子学和磁性存储等领域具有广泛的应用前景。 本次研究的目的是将Graphene和LPCMO薄膜结合起来,研究它们在异质结构中的性质和应用。首先,我们采用化学气相沉积法(CVD)在SiO2/Si基片上生长了单晶Graphene薄膜。然后,采用分子束外延(MBE)技术在Graphene上外延生长了LPCMO薄膜。在LPCMO成长过程中,我们还采用了原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)等技术对样品的表面形貌和晶体结构进行了表征。 经过表征,我们发现外延生长的LPCMO薄膜在Graphene上具有较好的晶体质量和结晶度。同时,我们还使用STM对样品进行了表面形貌和电子结构的研究。STM图像揭示了LPCMO薄膜表面的原子尺度拓扑结构和电子结构信息。我们还发现,在对Graphene薄膜进行氧化处理后,LPCMO薄膜表面的局部电子结构和磁性均发生了显

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