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常压化学气相沉积法制备阳光控制筋膜玻璃 由于衬底表面的缺陷，对产品质量构成了严重威胁，这不仅影响到它的外观，也影响到使用寿命。观察这些缺陷的特点，分析它们带来的原因是非常必要的。但是,对于不同的制备方法和不同的产品种类而言,造成表面缺陷的原因也各不相同。因此,对薄膜缺陷的分析必须和具体的制备工艺和产品相结合才有意义。 近年来,浮法玻璃在线镀膜技术取得了长足发展,在线镀膜法是在浮法玻璃生产线的合适温度区将反应气体按照适当的比例混合喷到热的玻璃表面,借助气相和玻璃表面的化学反应在玻璃表面形成薄膜。这种方法具有产量大、成本低的优点,但作为正在发展中的技术,还有待于进一步深化。阳光控制镀膜玻璃是对波长350～1 800 nm范围的太阳光具有一定控制作用的镀膜玻璃,可以减少进入室内的阳光辐射,降低制冷空调的能耗,具有明显的节能效果,尤其适于低纬度地区应用。随着建筑节能标准的提高,这种玻璃的市场越来越广阔。实践表明,在采用在线镀膜技术生产阳光控制镀膜玻璃的过程中,产品表面存在偶发性的表面缺陷,对镀膜玻璃的外在质量和使用性能产生了不利的影响。 通常认为,玻璃板面存在的杂质或者反应气体的纯度不够是造成镀膜玻璃缺陷的主要原因。然而,在线镀膜过程是在玻璃生产线的锡槽内实现的,此时,玻璃的表面是新鲜并且洁净的;而反应前驱物的纯度也可以得到保证,因此,在线镀膜的缺陷应具有自身的特殊性。迄今,人们对于其表面形貌、发生机理等问题尚缺少了解,有关的研究未见报道。 实验中对阳光控制镀膜玻璃的表面缺陷进行了观察,根据镀膜过程的物理化学变化过程,对在线镀膜的缺陷成因进行了分析,并对其与工艺参数之间的关系进行了讨论。 1 薄膜玻璃的硅烷-乙酸乙酯apcvd 实验采用自制反应器,在浮法玻璃生产线的锡槽内将硅烷、乙烯等气体按照表1所示的比例,混合喷到热的玻璃表面,借助气相和玻璃表面的化学反应在玻璃表面形成薄膜。浮法玻璃生产线锡槽内的温度条件、保护气体的有效存在以及洁净的玻璃表面为硅烷的热解提供了良好的条件,使其在玻璃表面均匀的分解,并沉积形成具有一定厚度的无定形硅富集层。样品的制备过程为:用常压化学气相沉积(atmosphere press chemical vapor deposition,APCVD)法,以硅烷、乙烯为原料,在锡槽内的温度和气氛条件下,由氮气做载体经过配气后,硅烷、乙烯和氮气按一定的比例从镀膜反应器两侧进入玻璃板上方的反应器,以均匀稳定的层流经过反应沉积区到达玻璃板表面。沉积温度区间为600～660℃,硅烷沉积在热态玻璃表面形成硅质膜层,同时硅烷分解产生的氢被乙烯吸附。主要工艺参数和影响因素包括:玻璃表面与反应器底面间距、气流的速度和流态、玻璃板运动速度、硅烷浓度、沉积区温度等(见表1)。 将制备的镀膜玻璃样品进行目测检验,将存在针孔缺陷的部位切割下来,用KYKY–2800型扫描电镜(scanning electron microscopy,SEM)进行观察。采用Kevex Singma Level 4型能谱分析仪(energy dispersive spectrometer,EDS)对孔洞内外的化学成分进行了分析。 2 结果与讨论 2.1 缺陷特征 图1为在线镀膜玻璃样品表面缺陷形貌的SEM照片。由图1可以看出:肉眼观察的针孔缺陷包含有多种类型。样品No.1和样品No.3为典型的孔洞(hole),样品No.2为膜层离开基板的翘曲(buckling)现象,样品No.4为膜面皱褶(rumple)现象,其特征为凸面向外、呈放射状;所有缺陷均为不规则形状,缺陷尺寸一般不超过100μm。 这些缺陷虽然并未造成明显的宏观缺陷,对产品外观也没有显著的不良影响,但在使用过程中,镀膜玻璃需要承受擦洗、冲刷、刻划、风沙、冷热变化等条件的考验,在使用条件下这些缺陷点有可能逐渐扩大,进而破坏产品外观和性能,因此,研究这些缺陷的形成规律和影响因素是十分必要的。 2.2 膜层结构的si含量 薄膜的沉积是一个渐进的过程,目前尚不清楚这些缺陷是发生在膜层之间还是发生在膜基之间,实验对样品No.1表面缺陷部位的内外成分进行了EDS分析,结果如表2所示。 由表2可以看出:孔洞内外元素含量差异明显。孔洞的外面(即膜面处)的Si含量较高,为66.3%(质量分数,下同),表明膜层主要构成由硅构成,O的含量很低,膜层表面处于缺氧状态。这是因为镀膜过程是在锡槽内进行的,而锡槽内部充满了氮和氢保护性气体;孔洞的外面少量的Na,Ca和Mg的存在既有可能是由玻璃基体中组分发生的膜间扩散造成的,也可能是由于膜层厚度太薄(不足100 nm),在能谱分析时电子束穿透膜层造成的。而孔洞内部的元素含量明显与外部的不同,其中,Si原子的含量远低于外部,为36.7%,O,Na,Ca,Mg的含量则远高于外部。表