封装结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-09-13 发布于四川
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一种封装结构及其形成方法,所述形成方法,提供引线框架,引线框架包括多个分立的封装区和位于相邻封装区之间的折弯区,封装区包括相对的上表面和下表面,折弯区中具有下凹的折弯支撑部,折弯支撑部的深度大于后续在封装区的下表面上封装的第二芯片的封装厚度;在每个封装区的上表面贴装第一芯片,在每个封装区的下表面贴装第二芯片;形成将第一芯片和引线框架电连接的第一金属引线,形成将第二芯片和引线框架电连接的第二金属引线;形成将第一芯片、第二芯片、第一金属引线和第二金属引线塑封的塑封层。在进行封装的过程中,折弯支撑部能

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116741739 A (43)申请公布日 2023.09.12 (21)申请号 202310733297.1 (22)申请日 2023.06.20 (71)申请人 长电科技 (宿迁)有限公司 地址

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