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平面酞菁弱取向外延薄膜的KPFM研究的中期报告 中期报告： 一、研究背景和目的： 平面酞菁是一种重要的有机半导体材料，广泛应用于有机薄膜晶体管等器件中。然而，在应用中发现，平面酞菁薄膜晶体管的电性能稳定性较差，并且与材料的弱取向性有关。正因如此，了解平面酞菁弱取向性的本质和机制，对于提高其电性能稳定性和制备高性能器件具有重要意义。 目的：本研究旨在通过KPFM技术研究平面酞菁弱取向性的相互作用，以进一步探索其电性能的表现机理。 二、研究方法： 本研究将采用KPFM研究平面酞菁弱取向外延薄膜的特性和表现规律。KPFM技术是一种扫描霍尔探针显微镜技术，可以同时获得薄膜的拓扑和表面电势等信息。通过对不同条件下的平面酞菁弱取向外延薄膜进行KPFM测试，获取薄膜表面的电荷分布信息、表面缺陷状态和电场强度分布等参数，进一步研究其微观结构特性和电性能表现之间的联系。 三、预期结果和创新性： 通过本研究，我们预期可以得到平面酞菁弱取向性和电性能表现之间的关系，为材料的性能优化和器件的制备提供理论指导和技术支撑。此外，本研究采用的KPFM技术，可以在纳米尺度上获得材料的电性质信息，具有高分辨率和高灵敏度的特点，进一步提升了研究的创新性和科学价值。