国开光伏检测与分析形考任务1-4试题及答案.doc

国开光伏检测与分析第一次形考任务答案 题目为随机，用查找功能（Ctrl+F）搜索题目 单项选择题 题目：（）对半导体单晶电化学腐蚀速度的影响最大。答案：腐蚀液的成分 题目：（）是半导体中最主要的缺陷，它属于线缺陷。答案：位错 题目：（）是目前国内最常用的判断半导体导电类型的方法。答案：冷热探笔法 题目：（）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。答案：微缺陷 题目：（）是最简单的点缺陷。答案：空位 题目：半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（）。答案：36% 题目：半导体器件厂就是用一定型号的（）来生产出所需要的半导体元件。答案：单晶 题目：