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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括：提供衬底，衬底包括邻接分布的阵列区和外围区；形成覆盖阵列区和外围区的表面的绝缘层；至少在位于外围区的绝缘层的表面形成保护层；形成覆盖绝缘层和保护层共同构成的结构的表面的堆叠膜层，堆叠膜层包括依次层叠分布的第一牺牲层、中部支撑层、第二牺牲层以及顶部支撑层；对堆叠膜层、保护层以及绝缘层进行蚀刻，以形成多个间隔分布的电容孔，电容孔在衬底上的正投影位于阵列区；在电容孔内形成下电极层；蚀刻去除第一牺牲层和第二牺牲层，第一牺牲层和第
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116744678 A
(43)申请公布日 2023.09.12
(21)申请号 202310721933.9
(22)申请日 2023.06.15
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 23
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