高频开关.pdfVIP

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  • 2023-09-14 发布于四川
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从输入输出端子(P251)向公共端子(P20)的功率的行进方向和从公共端子(P20)向外部连接端子(P10)的功率的行进方向成为相反方向的区间的长度比从输入输出端子(P211)向公共端子(P20)的功率的行进方向和从公共端子(P20)向外部连接端子(P10)的功率的行进方向成为相反方向的区间的长度长。FET(251)和FET(211)具有基于给定的输入功率的在FET(251)的漏极‑源极间传输的功率变得比在FET(211)的漏极‑源极间传输的功率大的构造。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110892522 A (43)申请公布日 2020.03.17 (21)申请号 20188

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