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本发明公开了一种皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源，其由供电电压产生电路和基准产生电路两部分组成，其中供电电压产生电路用来产生一个与电源电压弱相关的供电电压，以改善电路因运放缺失而带来的电压线性度恶化的问题，同时基准产生电路用来产生一个与温度无关的基准电压，实现温度补偿，该电路通过利用MOS的泄漏电流，极大程度的降低了电路的静态电流，使得电路的功耗能够达到皮瓦级，同时该电路仅利用5个MOS管，降低电路的复杂度，使得电路的最小供电电压降低至0.3V，使得电路能够适用于超低功耗的场景，同时电路的工
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114942664 A
(43)申请公布日 2022.08.26
(21)申请号 202210622192.4
(22)申请日 2022.06.02
(71)申请人 广州大学
地址 510006 广
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