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- 2023-09-14 发布于四川
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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件主要包含一磁性隧道结(magnetictunnelingjunction,MTJ)设于一基底上，一第一金属间介电层设于该MTJ周围，一金属内连线设于该MTJ上，一第二金属间介电层设于该第一金属内连线上并环绕该金属内连线以及一金属氧化层设于该第二金属间介电层内并环绕该金属内连线。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111969104 A
(43)申请公布日
2020.11.20
(21)申请号 20191
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