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- 2023-09-14 发布于四川
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本实用新型涉及磁控溅射技术领域,尤其涉及一种采用磁控溅射镀膜的反应腔室和镀膜设备,用以减少阳极消失、靶溅射不均匀等原因引起的成膜问题。其中该反应腔室包括:腔室本体;设置于腔室本体内2+2n个靶,n为大于等于0的整数;中频电源,与相同的2个靶电连接,其中:连接同一中频电源的两个靶构成孪生靶;第一驱动装置和第二驱动装置,分别连接一对孪生靶中的一个靶的转轴,孪生靶中的一个沿第一方向旋转,孪生靶中的另一个沿第二方向旋转,第一方向和第二方向相反。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210420140 U
(45)授权公告日
2020.04.28
(21)申请号 20192
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