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本实用新型涉及技术领域，公开了一种基于赫姆霍兹共振器原理的吸声降噪耳机腔体，包括相拼接的耳机前壳体和耳机后壳体，所述耳机前壳体和耳机后壳体之间设有赫姆霍兹共振吸声板，并通过所述赫姆霍兹共振吸声板分隔形成前腔和后腔，所述赫姆霍兹共振吸声板上分布有若干贯穿板体的穿孔。该耳机腔体与现有技术相比，对中低频段的物理降噪效果有较好的提升，可通过调整赫姆霍兹共振板及其穿孔和前腔的参数来实现针对性(不同频段)的降噪。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219678661 U
(45)授权公告日 2023.09.12
(21)申请号 202320798596.9
(22)申请日 2023.04.03
(73)专利权人 黄俊达
地址 518000
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