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PhotoMOS (MOSFET输出光电耦合器)
(基础绝缘型) 对应RoHS
1b (6脚型) (加强绝缘型) AQV410EH, 414EH AQV412EH
GE 获得认证 获得认证
尺寸图 分类与电路构成 动作原理的说明 术语说明 使用注意事项 应用电路示例 标准认证一览
P.42 P.46 P.50 P.52 P.53 P.60 P.285
具备加强绝缘5,000V 1b型
特 点
●负载电压 60V型具备低导通电阻(1Ω)、
高容量(0.55A)
8.8 6.4
3.9 ●负载电压 备有60V、350V、400V
8.8 6.4
3. 6 ●耐电压 备有5,000V (加强绝缘)
高度包括
( )
支架尺寸 ●输出构成:1b
用 途
1 6
2 5 ●电源
3 4 ●测量仪器
●安防设备
●电话设备
●传感器设备
品 种
包装数量:标准P/C板端子 : 内箱(管装包装)50个、外箱500个
表面安装端子 : 内箱(管装包装)50个、外箱500个
内箱(盘装包装)1,000个、外箱1,000个
*输出额定
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