晶体二极管及其电路.pptVIP

(三)、 二极管的u-I特性曲线 正向特性 反向击穿特性 u i 死区电压Ur: 硅管约为0.6V,锗管约为0.2V 导通压降UD: 硅管约为0.7V,锗管约为0.3V。 反向击穿电压UZ UZ Ur UD * 第三十页，共四十八页，2022年，8月28日 (四)、参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压VRM 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压URM一般是UZ的一半。 * 第三十一页，共四十八页，2022年，8月28日 3. 反向饱和电流 IS 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 4. 极间（结）电容C 5.直流电阻RD、交流电阻rd * 第三十二页，共四十八页，2022年，8月28日 七、常见的二极管实物外形 * 第三十三页，共四十八页，2022年，8月28日 (五)、晶体二极管的等效模型 u i UZ Ur UD u i 实际二极管的u-I特性曲线 理想二极管的u-I特性曲线 1、晶体二极管的理想模型 ①、当在二极管加上正向电压, u0时、近似认为u=0,i≠0,