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单晶硅材料简介 摘要：单晶硅是硅的单晶体，具有完整的点阵结构，纯度要求在%以上，是一种良好的半导体材料。制作工艺以直拉法为主，兼以区熔和外延。自从 1893 年光生伏效应的发现，太阳能电池就开始在人们的视线中出现，随着波兰科学家发展了生长单晶硅的提拉法工艺以及 1959 年单晶硅电池效率突破 10%，单晶硅正式进入商业化。我国更是在 05 年把太阳能电池的产量提高到 10MW/年，并且成为世界重要的光伏工业基地。单晶硅使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业，世界各国也重点发展单晶硅使得单晶硅成为能源行业宠儿。地壳中含量超过%的硅含量使得单晶硅来源丰富，虽然暂时太阳能行业暂时以 P 型电池主导，但遭遇边际效应的 P 型电池终将被N 型电池所取代。单晶硅前途不可限量。 关键字：性质；历史；制备；发展前景 Monocrystalline silicon material Brief Introduction Abstract: Monocrystalline silicon is silicon single crystal with complete lattice structure, purity over %, is a good semiconductor is given priority to with czochralski method, and with zone melting and 1893 time born v effect, found that solar cells began to appear in the line of sight of people, with the development of polish scientist pulling method of single crystal silicon growth process and single crystal silicon battery efficiency above 10% in 1959, monocrystalline silicon formally enter the years of our country is in the production of solar cells to 10 mw/year, and become the world pv industrial silicon makes information industry become the worlds fastest growing economy in the forerunner industry, the world also make focus on monocrystalline silicon single crystal silicon darling become the energy more than % of silicon content in the crust has rich source of monocrystalline silicon, while the solar industry to temporarily P type battery, but in the marginal effects of p-type battery will eventually be replaced by N type of monocrystalline silicon. Key words: silicon;Properties;History;Preparation;Prospects for development 一、单晶硅基本性质以及历史沿革 硅有晶态和无定形两种同素异形体。晶态硅又分为单晶硅和多晶硅，它们均具有金刚 石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加， 具有半导体性质。晶态硅的熔点 1410C,沸点 2355C,密度~cm3，莫氏硬度为 7。 单晶硅是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质， 是一种良好的半导材料。纯度要求达到%，甚至达到%以上。 熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面 取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质， 有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征 半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA 族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p 型硅 半导体；如掺入微量的ⅤA 族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n 型硅半导体。 最开始是 1893 年法国的实验物理学家发现