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- 2023-09-16 发布于四川
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一种半导体装置包括:位线;有源半导体层,其在位线上,具有在竖直方向上延伸的第一部分以及连接到第一部分并在水平方向上延伸的第二部分,包括氧化物半导体;字线,其在有源半导体层的侧壁上;栅极绝缘层,其在有源半导体层和字线之间;第一接触件,其在有源半导体层上,具有在低于字线的顶表面的水平处的底部和在高于字线的顶表面的水平处的顶部,包括包含第一掺杂剂的氧化物半导体;第二接触件,其与位线上的有源半导体层的第二部分相邻并且包括包含第二掺杂剂的氧化物半导体;以及着陆焊盘,其在第一接触件上。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116761424 A
(43)申请公布日 2023.09.15
(21)申请号 202310209738.8
(22)申请日 2023.03.07
(30)优先权数据
10-2022-0031651
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