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一种正装高压LED芯片及制作方法.pdfVIP

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  • 2023-09-16 发布于四川
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一种正装高压LED芯片及制作方法.pdf

    本发明提供了一种正装高压LED芯片及制作方法，该正装高压LED芯片设置的晶胞隔离槽将外延层划分为多个晶胞，每个晶胞都是设置有第一凹槽，在该外延层背离衬底一侧依次设置有布拉格反射层与金属反射层；当该正装高压LED芯片进行发光时，晶胞隔离槽处会产生轴向光，由于晶胞隔离槽背离衬底一侧的布拉格反射层的厚度较薄，所以会导致晶胞隔离槽处出现漏光，此时金属反射层可以将晶胞隔离槽处产生的轴向光反射进芯片内部，从而避免轴向光从晶胞隔离槽散发出去，减少了漏光的出现，反射进芯片内部的光会从该正装高压LED芯片的背面或

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116759512 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202310909288.3 (22)申请日 2023.07.24 (71)申请人 江西乾照光电有限公司 地址 33

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