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- 2023-09-16 发布于四川
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本申请公开了一种测试结构、量子比特的制造方法及量子芯片，属于量子计算技术领域。测试结构，包括形成于衬底上的超导元件，形成于所述衬底上且与所述超导元件连接的超导量子干涉装置，以及形成于所述衬底上且部分的覆盖所述超导元件的导电膜。本申请提出的方案，利用独立形成的导电膜与测试电路接触连接，便于实现超导量子干涉装置的电学参数测量，并且在确认电学参数符合设计要求时，可实施去除所述导电膜的工艺获得合格的量子比特。因此，本申请利用导电膜直接构建出方便超导量子干涉装置测试时实现接触连接的区域，有助于实现对超导量
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116759413 A
(43)申请公布日 2023.09.15
(21)申请号 202310798016.0
(22)申请日 2023.06.29
(71)申请人 本源量子计算科技
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