1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

提升锗硅机台WPH的方法.pdfVIP

  • 20
  • 0
  • 约7.8千字
  • 约 8页
  • 2023-09-16 发布于四川
  • 举报

提升锗硅机台WPH的方法.pdf

    本发明提供一种提升锗硅机台WPH的方法，所述方法包括：步骤1)提供包括辅助有源层、冗余有源层、辅助栅层及冗余栅层的设计版图，所述辅助栅层位于所述辅助有源层上，所述冗余栅层位于所述冗余有源层上；步骤2)于位于切割道的所述冗余有源层的未被所述冗余栅层覆盖的区域上添加冗余锗硅层，并于位于主芯片的所述辅助有源层的未被所述辅助栅层覆盖的区域上添加辅助锗硅层；步骤3)利用添加了所述冗余锗硅层及所述辅助锗硅层的版图设计出版光罩，并进行嵌入式锗硅沉积工艺。通过本发明解决了现有的因SiGe图形密度较低导致机台产能

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116759294 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202310798455.1 H01L 29/161 (2006.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >