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本实用新型提供了一种毫米波频段放大器芯片封装结构,涉及芯片封装技术领域,包括芯片、封装基板和封盖;封装基板上设有自上而下顺次层叠设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层以及第三金属层,封盖设置于封装基板上且用于封盖封装基板,封盖设有开口向下的内腔。本实用新型提供的毫米波频段放大器芯片封装结构形式,采用封装基板和封盖结合的形式,并在封装基板上设置容纳槽的形式实现对芯片的容纳,有效的缩短了芯片与封装基板之间的连接长度,便于降低寄生电感,提高了芯片的传输能力。带有内腔的封盖使芯片的芯片直流
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210429797 U
(45)授权公告日
2020.04.28
(21)申请号 20192
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