一种GaN-Metal/PANI氨气传感器及其制备方法和应用.pdfVIP

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2023-09-16 发布于四川
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一种GaN-Metal/PANI氨气传感器及其制备方法和应用.pdf

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本发明属于气体传感器技术领域，涉及一种GaN‑Metal/PANI氨气传感器及其制备方法和应用，通过湿法刻蚀工艺、磁控溅射沉积贵金属纳米颗粒和原位氧化聚合方法制备得到。本发明的氨气传感器基于刻蚀工艺在GaN表面刻蚀出六角方坑，提高了材料的比表面积，增加了气体吸附位点；基于GaN与PANI表面构建异质结构以及GaN与贵金属间产生的肖特基势垒，促进了电子迁移率，极大程度地提高了传感器对NH3的灵敏度，可实现室温下对NH3的ppb级下限检测，具有良好的长期稳定性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116754617 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202311033612.6 C08G 73/02 (2006.01)