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本发明公开了一种使用正型光刻胶的金属剥离方法，所述方法包括：在衬底上涂布正型光刻胶；以掩膜版与正型光刻胶相接触的方式，对光刻胶进行曝光，在光刻胶与掩模版接触的表面部分形成倒勾形区域；对光刻胶进行预烤并显影，形成上方为正梯形的光刻胶开口；在光刻胶上和光刻胶开口中蒸镀金属；剥离光刻胶，留下光刻胶开口中的金属，得到金属图形。本发明能够降低制备成本，提高芯片质量，适用于大规模化的产品生产。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116759310 A
(43)申请公布日 2023.09.15
(21)申请号 202311065455.7
(22)申请日 2023.08.23
(71)申请人 北京无线电测量研究所
地址 10
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