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半导体结构的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-09-16 发布于四川
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半导体结构的制备方法.pdf

    本公开提供了一种半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括待制备区域；向反应环境中通入氢气，对所述待制备区域进行退火处理；向反应环境通入氢气，并通入氧气，在退火处理后的待制备区域形成栅绝缘层。本公开可以降低待制备区域表面的粗糙度，进而提高待制备区域表面的光滑度，减少表面缺陷和自由电子的捕获路径，从根源上降低行攻击的失效率，满足存储器工作的需要。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116759304 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202310912953.4 (22)申请日 2023.07.21 (71)申请人 长鑫科技集团股份有限公司 地址

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