原创力文档- 0
- 0
- 约7.94千字
- 约 11页
- 2023-09-19 发布于四川
- 举报
一种带有内置电流传感器的沟槽IGBT器件结构，包括一体式并列设置的主IGBT及电流采样IGBT，主IGBT结构通过沟槽与所述电流采样IGBT隔离，且所述主IGBT及电流采样IGBT均包括N型衬底、P型衬底、N型电荷储存层、P型沟道区、沟槽及接触孔；所述N型衬底上依次设置有N型电荷储存层及P型沟道区，N型衬底的底部设置有P型衬底；所述P型沟道区的顶部开设有若干底部与所述N型衬底连通的沟槽，所述沟槽之间通过N型源区设置有至少一组接触孔，所述沟槽内设置有沟槽氧化层及多晶硅；所述沟槽贯穿P型沟道区、N型
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210467838 U
(45)授权公告日
2020.05.05
(21)申请号 20192
文档评论（0）